- gate isolator
- діелектрик підзатвора
English-Ukrainian dictionary of microelectronics. 2013.
gate isolator
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Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
Dual-Gate-MOSFET — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur — MIS Struktur (Metall/SiO2/p Si) in einem vertikalen MIS Kondensator Die Metall Isolator Halbleiter Struktur (engl. metal insulator semiconductor, kurz MIS) bildet die Grundlage für eine Vielzahl von Bauelementen in der Mikroelektronik, z. B … Deutsch Wikipedia
Opto-isolator — This article is about the electronic component. For the optical component, see optical isolator. Schematic diagram of an opto isolator showing source of light (LED) on the left, dielectric barrier in the center, and sensor (phototransistor) on… … Wikipedia
High-k+Metal-Gate-Technik — Schematischer Querschnitt durch den Gate Aufbau eines Transistors in High k+Metal Gate Technik Die High k+Metal Gate Technik (HKMG Technik) bezeichnet in der Halbleitertechnik einen speziellen Aufbau von Metall Isolator Halbleiter… … Deutsch Wikipedia
Subthreshold Leakage — Bei subthreshold leakage (englisch, dt. ‚Unterschwellspannungsleckstrom‘) handelt es sich um einen so genannten Leckstrom in MOS Transistoren, welche in aktuellen integrierten Schaltungen wie Prozessoren oder Mikrocontrollern verwendet werden.… … Deutsch Wikipedia
Subthreshold leakage — Bei subthreshold leakage (dt. »Unterschwellspannungsleckstrom«) handelt es sich um einen so genannten Leckstrom in MOS Transistoren, welche in aktuellen integrierten Schaltungen wie Prozessoren oder Mikrocontrollern verwendet werden.… … Deutsch Wikipedia
Unterschwellspannungsstrom — Bei subthreshold leakage (dt. »Unterschwellspannungsleckstrom«) handelt es sich um einen so genannten Leckstrom in MOS Transistoren, welche in aktuellen integrierten Schaltungen wie Prozessoren oder Mikrocontrollern verwendet werden.… … Deutsch Wikipedia
FeRAM — Als Ferroelectric Random Access Memory (FRAM oder FeRAM) bezeichnet man einen nichtflüchtigen elektronischen Speichertyp auf der Basis von Kristallen mit ferroelektrischen Eigenschaften. Ferroelektrika weisen dem Ferromagnetismus analoge… … Deutsch Wikipedia
Feram — Als Ferroelectric Random Access Memory (FRAM oder FeRAM) bezeichnet man einen nichtflüchtigen elektronischen Speichertyp auf der Basis von Kristallen mit ferroelektrischen Eigenschaften. Ferroelektrika weisen dem Ferromagnetismus analoge… … Deutsch Wikipedia
Ferroelectric Random Access Memory — Als Ferroelectric Random Access Memory (FRAM oder FeRAM) bezeichnet man einen nichtflüchtigen elektronischen Speichertyp auf der Basis von Kristallen mit ferroelektrischen Eigenschaften, das heißt dem Ferromagnetismus analoge elektrische… … Deutsch Wikipedia
